Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

KEY Part #: K936827

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Qiymətləndirmə (USD) [15176ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,000 pcs$3.01935

Hissə nömrəsi:
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
İstehsalçı:
Micron Technology Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - İşıqlandırma, Balast nəzarətçiləri, Məntiq - Qapılar və İnverterlər, Yaddaş, İnterfeys - KODLAR, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti tənzimlə, Məntiq - Müqayisələr, Məlumatların alınması - Rəqəmsal analoq çeviricilə and Daxili - Çip On Sistem (SoC) ...
Rəqabətli üstünlük:
Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
İstehsalçı : Micron Technology Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Last Time Buy
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR2
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 400MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 400ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 125°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 84-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 84-FBGA (8x12.5)

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16