Təsvir :
TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP
Transistor tipi :
3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
4A
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
100V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
2V @ 10mA, 2A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100µA (ICBO)
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
1000 @ 2A, 4V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SIP