Infineon Technologies - SPB18P06PGATMA1

KEY Part #: K6420108

SPB18P06PGATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [161296ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.22931

Hissə nömrəsi:
SPB18P06PGATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Subay, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - TRIACs and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SPB18P06PGATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SPB18P06PGATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPB18P06PGATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SPB18P06PGATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
Seriya : SIPMOS®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18.7A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 860pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 81.1W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB