Hissə nömrəsi :
DMT10H025SSS-13
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFETN-CHAN 100V SO-8
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
7.4A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
21.4nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1544pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.4W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SO
Paket / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)