Diodes Incorporated - DMG4N65CTI

KEY Part #: K6396256

DMG4N65CTI Qiymətləndirmə (USD) [76194ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.41392
  • 50 pcs$0.30208
  • 100 pcs$0.26313
  • 500 pcs$0.19490
  • 1,000 pcs$0.15592

Hissə nömrəsi:
DMG4N65CTI
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Güc Sürücü Modulları and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMG4N65CTI elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMG4N65CTI sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMG4N65CTI üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N65CTI Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMG4N65CTI
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 8.35W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : ITO-220AB
Paket / Case : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab