BYM10-100HE3/97 Qiymətləndirmə (USD) [675586ədəd Stok]
- 1 pcs$0.05475
- 10,000 pcs$0.04962
- Hissə nömrəsi:
- BYM10-100HE3/97
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-100HE3/97 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BYM10-100HE3/97 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BYM10-100HE3/97 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BYM10-100HE3/97 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BYM10-100HE3/97
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Seriya :
SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.1V @ 1A
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
-
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AB, MELF (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
İsti hissələr
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置