Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C16M16MSA-6BINTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16MSA-6BINTR

KEY Part #: K939315

AS4C16M16MSA-6BINTR Qiymətləndirmə (USD) [24477ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.87200
Hissə nömrəsi:
AS4C16M16MSA-6BINTR
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA. DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məlumatların əldə edilməsi - Rəqəmsal Potensiometr, PMIC - Ethernet (PoE) Nəzarətçiləri, Məntiq - İxtisas məntiqi, Xətti - gücləndiricilər - alət, OP amper, bufer am, PMIC - Batareya doldurucuları, İnterfeys - Sensor və detektor interfeysi, PMIC - Elektrik paylama açarları, yük sürücüləri and Məlumatların əldə edilməsi - ADC / DAC - Xüsusi Mə ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MSA-6BINTR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C16M16MSA-6BINTR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C16M16MSA-6BINTR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16MSA-6BINTR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C16M16MSA-6BINTR
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile SDRAM
Yaddaş ölçüsü : 256Mb (16M x 16)
Saat tezliyi : 166MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -
Giriş vaxtı : 5.5ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 54-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 54-FBGA (8x8)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Maraqlı ola bilərsiniz
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

İsti hissələr