Infineon Technologies - IPD031N03LGBTMA1

KEY Part #: K6420186

IPD031N03LGBTMA1 Qiymətləndirmə (USD) [168360ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.21969
  • 2,500 pcs$0.20154

Hissə nömrəsi:
IPD031N03LGBTMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD031N03LGBTMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD031N03LGBTMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD031N03LGBTMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD031N03LGBTMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 5300pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 94W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz