STMicroelectronics - STB7NK80Z-1

KEY Part #: K6393768

STB7NK80Z-1 Qiymətləndirmə (USD) [58751ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.66886
  • 1,000 pcs$0.66554

Hissə nömrəsi:
STB7NK80Z-1
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STB7NK80Z-1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STB7NK80Z-1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STB7NK80Z-1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB7NK80Z-1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STB7NK80Z-1
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Seriya : SuperMESH™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5.2A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1138pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : I2PAK
Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA