Hissə nömrəsi :
SIB452DK-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
190V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
135pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / Case :
PowerPAK® SC-75-6L