Infineon Technologies - IRF630NSTRLPBF

KEY Part #: K6402959

IRF630NSTRLPBF Qiymətləndirmə (USD) [130196ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.28409
  • 800 pcs$0.24699

Hissə nömrəsi:
IRF630NSTRLPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - TRIACs and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRF630NSTRLPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRF630NSTRLPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF630NSTRLPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRF630NSTRLPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 9.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 575pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 82W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D2PAK
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB