Hissə nömrəsi :
SISS46DN-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
Seriya :
TrenchFET® Gen IV
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
2140pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Case :
PowerPAK® 1212-8S