Microsemi Corporation - APT50GT120B2RDLG

KEY Part #: K6421765

APT50GT120B2RDLG Qiymətləndirmə (USD) [4695ədəd Stok]

1 pcs$9.22430

Hissə nömrəsi:: APT50GT120B2RDLG

İstehsalçı:: Microsemi Corporation

Ətraflı Təsviri:: IGBT 1200V 106A 694W TO-247.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...

Rəqabətli üstünlük:: Microsemi Corporation APT50GT120B2RDLG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APT50GT120B2RDLG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APT50GT120B2RDLG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT50GT120B2RDLG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : APT50GT120B2RDLG

İstehsalçı : Microsemi Corporation

Təsvir : IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Seriya : Thunderbolt IGBT®

Hissə Vəziyyəti : Active

IGBT növü : NPT

Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V

Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 106A

Cari - Kolleksiyaçı Pulsed (Icm) : 150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A

Gücü - Maks : 694W

Kommutasiya Enerji : 3585µJ (on), 1910µJ (off)

Giriş növü : Standard

Qapı şarjı : 240nC

Td (aç / söndür) @ 25 ° C : 23ns/215ns

Test Vəziyyəti : 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V

Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -

Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü : Through Hole

Paket / Case : TO-247-3 Variant

Təchizatçı cihaz paketi : -

Son xəbərlər

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Maraqlı ola bilərsiniz

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.
SSM3K7002KF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 0.4A.
2N7002

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23.
SN7002NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

English Azərbaycan