Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL41AHE3/97

KEY Part #: K6447647

[1353ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    EGL41AHE3/97
    İstehsalçı:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Ətraflı Təsviri:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Tiristorlar - TRIACs ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41AHE3/97 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. EGL41AHE3/97 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. EGL41AHE3/97 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL41AHE3/97 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : EGL41AHE3/97
    İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Təsvir : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
    Seriya : SUPERECTIFIER®
    Hissə Vəziyyəti : Discontinued at Digi-Key
    Diod növü : Standard
    Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 50V
    Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
    Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1V @ 1A
    Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 50ns
    Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 50V
    Kapasitans @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : DO-213AB, MELF (Glass)
    Təchizatçı cihaz paketi : DO-213AB
    Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

    Maraqlı ola bilərsiniz
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.