Hissə nömrəsi :
EMF18XV6T5G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Transistor tipi :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V, 60V
Rezistor - Baza (R1) :
47 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
47 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SOT-563, SOT-666
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-563