Hissə nömrəsi :
BSC016N06NSTATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
31A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 95µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
6500pF @ 30V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
3W (Ta), 167W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TDSON-8 FL
Paket / Case :
8-PowerTDFN