Infineon Technologies - BSZ100N06NSATMA1

KEY Part #: K6420852

BSZ100N06NSATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [272275ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.13585
  • 5,000 pcs$0.13038

Hissə nömrəsi:
BSZ100N06NSATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSZ100N06NSATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSZ100N06NSATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSZ100N06NSATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ100N06NSATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSZ100N06NSATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 14µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1075pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TSDSON-8-FL
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz