Nexperia USA Inc. - PSMN165-200K,518

KEY Part #: K6410138

PSMN165-200K,518 Qiymətləndirmə (USD) [39ədəd Stok]

  • 10,000 pcs$0.21879

Hissə nömrəsi:
PSMN165-200K,518
İstehsalçı:
Nexperia USA Inc.
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Nexperia USA Inc. PSMN165-200K,518 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PSMN165-200K,518 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PSMN165-200K,518 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN165-200K,518 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : PSMN165-200K,518
İstehsalçı : Nexperia USA Inc.
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Seriya : TrenchMOS™
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1330pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)