ON Semiconductor - SVD5867NLT4G

KEY Part #: K6393141

SVD5867NLT4G Qiymətləndirmə (USD) [332768ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.11115
  • 2,500 pcs$0.10106

Hissə nömrəsi:
SVD5867NLT4G
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor SVD5867NLT4G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SVD5867NLT4G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SVD5867NLT4G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SVD5867NLT4G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SVD5867NLT4G
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 675pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63