Diodes Incorporated - DMN3032LE-13

KEY Part #: K6409693

DMN3032LE-13 Qiymətləndirmə (USD) [392747ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.08429

Hissə nömrəsi:
DMN3032LE-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN3032LE-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN3032LE-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN3032LE-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3032LE-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN3032LE-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5.6A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 498pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.8W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-223
Paket / Case : TO-261-4, TO-261AA