Taiwan Semiconductor Corporation - S12GCHM6G

KEY Part #: K6439760

S12GCHM6G Qiymətləndirmə (USD) [586340ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.06308

Hissə nömrəsi:
S12GCHM6G
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - JFETlər and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation S12GCHM6G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S12GCHM6G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S12GCHM6G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12GCHM6G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : S12GCHM6G
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 400V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 12A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 12A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 1µA @ 400V
Kapasitans @ Vr, F : 78pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AB, SMC
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AB (SMC)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG24D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG10K-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG23M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD