STMicroelectronics - STD3NM60N

KEY Part #: K6419704

STD3NM60N Qiymətləndirmə (USD) [126516ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.29382
  • 2,500 pcs$0.29235

Hissə nömrəsi:
STD3NM60N
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STD3NM60N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STD3NM60N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STD3NM60N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3NM60N Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STD3NM60N
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Seriya : MDmesh™ II
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±25V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 188pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 50W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz