Hissə nömrəsi :
NJVMJD112G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Transistor tipi :
NPN - Darlington
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
2A
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
100V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
3V @ 40mA, 4A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
20µA
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
1000 @ 2A, 3V
Əməliyyat temperaturu :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK