Vishay Siliconix - SI7956DP-T1-GE3

KEY Part #: K6524941

SI7956DP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [52486ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.74498
  • 3,000 pcs$0.69732

Hissə nömrəsi:
SI7956DP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7956DP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7956DP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7956DP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7956DP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7956DP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
Gücü - Maks : 1.4W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8 Dual