1SS352,H3F Qiymətləndirmə (USD) [3056256ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01277
- 3,000 pcs$0.01271
- 6,000 pcs$0.01146
- 15,000 pcs$0.00997
- 30,000 pcs$0.00897
- 75,000 pcs$0.00797
- 150,000 pcs$0.00664
- Hissə nömrəsi:
- 1SS352,H3F
- İstehsalçı:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - RF, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCRlər and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352,H3F elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. 1SS352,H3F sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. 1SS352,H3F üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
1SS352,H3F Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
1SS352,H3F
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
80V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
100mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.2V @ 100mA
Sürət :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
4ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
500nA @ 80V
Kapasitans @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-76A
Təchizatçı cihaz paketi :
SC-76-2
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
125°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
İsti hissələr
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置