İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
500mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.3V @ 500mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
250ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AA (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AA (GL34)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C