Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

Micron Technology Inc. - MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

KEY Part #: K918564

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR Qiymətləndirmə (USD) [9310ədəd Stok]

  • 1,000 pcs$13.52390
Hissə nömrəsi:
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
İstehsalçı:
Micron Technology Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Sayğaclar, bölücülər, PMIC - Batareya idarəetməsi, Saat / Zamanlama - Gecikmə xətləri, İnterfeys - analoq açarları, multiplexers, demulti, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - DC DC keçid tə, Məntiq - Multivibratörlər and PMIC - AC DC çeviriciləri, Offline dəyişdiricilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Micron Technology Inc. MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
İstehsalçı : Micron Technology Inc.
Təsvir : IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Non-Volatile
Yaddaş formatı : FLASH
Texnologiya : FLASH - NAND
Yaddaş ölçüsü : 512Gb (64G x 8)
Saat tezliyi : 333MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -
Giriş vaxtı : -
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.5V ~ 3.6V
Əməliyyat temperaturu : 0°C ~ 70°C (TA)
Montaj növü : -
Paket / Case : -
Təchizatçı cihaz paketi : -

Son xəbərlər

Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron NAND Flash
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron LPDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • 7005S35PFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP. SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM

  • IS61LF51218A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 512Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF25636A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61LPS51218A-200TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LPS25636A-200TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLF25636A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v

İsti hissələr