Taiwan Semiconductor Corporation - ES3DV M6G

KEY Part #: K6458061

ES3DV M6G Qiymətləndirmə (USD) [838004ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.04414

Hissə nömrəsi:
ES3DV M6G
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV M6G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. ES3DV M6G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. ES3DV M6G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3DV M6G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : ES3DV M6G
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 900mV @ 3A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 20ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AB, SMC
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AB (SMC)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM