Sanken - SJPB-L4VL

KEY Part #: K6445408

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...

Rəqabətli üstünlük:: Sanken SJPB-L4VL elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SJPB-L4VL sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SJPB-L4VL üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : SJPB-L4VL

İstehsalçı : Sanken

Təsvir : DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Diod növü : Schottky

Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 40V

Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 3A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 550mV @ 3A

Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -

Cari - Tərs Sızma @ Vr : 300µA @ 40V

Kapasitans @ Vr, F : -

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 2-SMD, J-Lead

Təchizatçı cihaz paketi : SJP

Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -40°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
VS-80EPS08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.
VS-80EPF12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.