Hissə nömrəsi :
1N914_T50R
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
200mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 10mA
Sürət :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
4ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitans @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-35
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)