Infineon Technologies - IRFB4227PBF

KEY Part #: K6399919

IRFB4227PBF Qiymətləndirmə (USD) [26568ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.30006
  • 10 pcs$1.17270
  • 100 pcs$0.89407
  • 500 pcs$0.69538
  • 1,000 pcs$0.57618

Hissə nömrəsi:
IRFB4227PBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRFB4227PBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFB4227PBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFB4227PBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4227PBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRFB4227PBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 65A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4600pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 330W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3