ON Semiconductor - FQB9N08TM

KEY Part #: K6410866

[13988ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    FQB9N08TM
    İstehsalçı:
    ON Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Tiristorlar - TRIACs ...
    Rəqabətli üstünlük:
    ON Semiconductor FQB9N08TM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQB9N08TM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQB9N08TM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB9N08TM Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : FQB9N08TM
    İstehsalçı : ON Semiconductor
    Təsvir : MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
    Seriya : QFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 9.3A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 4.65A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±25V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 250pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.75W (Ta), 40W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
    Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB