RFN10TF6S Qiymətləndirmə (USD) [127239ədəd Stok]
- 1 pcs$0.32136
- 1,000 pcs$0.31976
- Hissə nömrəsi:
- RFN10TF6S
- İstehsalçı:
- Rohm Semiconductor
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 10A
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Rohm Semiconductor RFN10TF6S elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RFN10TF6S sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RFN10TF6S üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
RFN10TF6S Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
RFN10TF6S
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Not For New Designs
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
10A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.55V @ 10A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
-
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-220-2
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220NFM
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM
İsti hissələr
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A
选择你的位置