Vishay Siliconix - SIJ188DP-T1-GE3

KEY Part #: K6396130

SIJ188DP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [126722ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.29188

Hissə nömrəsi:
SIJ188DP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIJ188DP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIJ188DP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIJ188DP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIJ188DP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIJ188DP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1920pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8

Maraqlı ola bilərsiniz