ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320D-6TL-TR

KEY Part #: K940173

Ətraflı Təsviri:: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Qapılar və İnverterlər - Çox funksiyalı, , Məntiq - Tərcüməçilər, Səviyyə dəyişdiricilər, PMIC - OR nəzarətçiləri, ideal diodlar, IC Çipləri, İnterfeys - siqnal tamponları, təkrarlayıcılar, bö, Saat / Zamanlama - IC Batareyalar, Yaddaş and Məlumatların alınması - Rəqəmsal analoq çeviricilə ...

Rəqabətli üstünlük:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS43R16320D-6TL-TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS43R16320D-6TL-TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : IS43R16320D-6TL-TR

İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : DRAM

Texnologiya : SDRAM - DDR

Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)

Saat tezliyi : 166MHz

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns

Giriş vaxtı : 700ps

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V

Əməliyyat temperaturu : 0°C ~ 70°C (TA)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Təchizatçı cihaz paketi : 66-TSOP II

Maraqlı ola bilərsiniz

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
6116LA25SOGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116LA20SOGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W632GU8MB12I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.