GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Ətraflı Təsviri:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...

Rəqabətli üstünlük:: GeneSiC Semiconductor MBR600200CT elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MBR600200CT sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MBR600200CT üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : MBR600200CT

İstehsalçı : GeneSiC Semiconductor

Təsvir : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Diodun konfiqurasiyası : 1 Pair Common Cathode

Diod növü : Schottky

Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 200V

Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diod başına) : 300A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 920mV @ 300A

Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -

Cari - Tərs Sızma @ Vr : 3mA @ 200V

Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Montaj növü : Chassis Mount

Paket / Case : Twin Tower

Təchizatçı cihaz paketi : Twin Tower

Maraqlı ola bilərsiniz

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.