Hissə nömrəsi :
PDTC114EM,315
İstehsalçı :
Nexperia USA Inc.
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
10 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
10 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
1µA
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-101, SOT-883
Təchizatçı cihaz paketi :
DFN1006-3