Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FC80NA20

KEY Part #: K6394510

VS-FC80NA20 Qiymətləndirmə (USD) [3234ədəd Stok]

  • 1 pcs$13.38969
  • 160 pcs$12.75207

Hissə nömrəsi:
VS-FC80NA20
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 108A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - RF and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC80NA20 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-FC80NA20 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-FC80NA20 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FC80NA20 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-FC80NA20
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 108A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 108A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10720pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 405W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC