ON Semiconductor - FQI8N60CTU

KEY Part #: K6419068

FQI8N60CTU Qiymətləndirmə (USD) [89832ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.43527
  • 1,000 pcs$0.32437

Hissə nömrəsi:
FQI8N60CTU
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQI8N60CTU elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQI8N60CTU sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQI8N60CTU üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI8N60CTU Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQI8N60CTU
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1255pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : I2PAK (TO-262)
Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA