Hissə nömrəsi :
SICRF101200
İstehsalçı :
SMC Diode Solutions
Təsvir :
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Diod növü :
Silicon Carbide Schottky
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
10A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.8V @ 10A
Sürət :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
0ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F :
640pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Təchizatçı cihaz paketi :
ITO-220AC
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C