Vishay Siliconix - SI7455DP-T1-E3

KEY Part #: K6393587

SI7455DP-T1-E3 Qiymətləndirmə (USD) [66291ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.59278
  • 3,000 pcs$0.58983

Hissə nömrəsi:
SI7455DP-T1-E3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Subay and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7455DP-T1-E3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7455DP-T1-E3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7455DP-T1-E3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7455DP-T1-E3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7455DP-T1-E3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 5160pF @ 40V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8