Infineon Technologies - SPD02N80C3ATMA1

KEY Part #: K6403441

SPD02N80C3ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [164812ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.22442
  • 2,500 pcs$0.17833

Hissə nömrəsi:
SPD02N80C3ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SPD02N80C3ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SPD02N80C3ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD02N80C3ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SPD02N80C3ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Seriya : CoolMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 290pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 42W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63