Vishay Siliconix - SI3464DV-T1-GE3

KEY Part #: K6395938

SI3464DV-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [383787ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Hissə nömrəsi:
SI3464DV-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI3464DV-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI3464DV-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3464DV-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI3464DV-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (Maks) : ±8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1065pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 6-TSOP
Paket / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6