Hissə nömrəsi :
IPB180N04S4LH0ATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH TO263-7
Seriya :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 180µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
310nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
24440pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
250W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO263-7-3
Paket / Case :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)