Hissə nömrəsi :
1N5809/TR
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
875mV @ 4A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
B, Axial
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C