Hissə nömrəsi :
DTC115TUAT106
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
100 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 100µA, 1mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-70, SOT-323
Təchizatçı cihaz paketi :
UMT3