Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C32M16D1-5BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D1-5BIN

KEY Part #: K939579

AS4C32M16D1-5BIN Qiymətləndirmə (USD) [25660ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.79472
  • 240 pcs$1.78579
Hissə nömrəsi:
AS4C32M16D1-5BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA. DRAM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Səs Xüsusi Məqsəd, İnterfeys - siqnal tamponları, təkrarlayıcılar, bö, Yaddaş - FPGA'lar üçün konfiqurasiya promsları, Məlumatların əldə edilməsi - ADC / DAC - Xüsusi Mə, Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və , İnterfeys - Nəzarətçilər, Saat / Zamanlama - Saat tamponları, Sürücülər and PMIC - LED sürücülər ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C32M16D1-5BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C32M16D1-5BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D1-5BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C32M16D1-5BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-TFBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Maraqlı ola bilərsiniz
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

İsti hissələr