Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. IS43DR86400E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI

KEY Part #: K936605

IS43DR86400E-3DBLI Qiymətləndirmə (USD) [14583ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.73714
Hissə nömrəsi:
IS43DR86400E-3DBLI
İstehsalçı:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Müqayisələr, Quraşdırılmış - PLD (Proqramlaşdırıla bilən Məntiq, PMIC - PFC (Güc Faktoru Düzəldilməsi), İnterfeys - Xüsusi, İnterfeys - UART (Universal Asinxron qəbuledici öt, Xətti - Gücləndiricilər - Səs, Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər - Tətbiq Xüsusi and Yaddaş - Nəzarətçilər ...
Rəqabətli üstünlük:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS43DR86400E-3DBLI sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS43DR86400E-3DBLI üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IS43DR86400E-3DBLI
İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR2
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (64M x 8)
Saat tezliyi : 333MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 450ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-TWBGA (8x10.5)

Son xəbərlər

Silicom MinnowBoard Turbot
Maraqlı ola bilərsiniz
  • FM25V02A-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR45V200BRAZAARL

    Rohm Semiconductor

    FERAM / 2MBIT 256KB X 8 / SPI. F-RAM FeRAM/2M 256K x 8 DIP8

  • AT28HC256E-12SU-202

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR

İsti hissələr