Taiwan Semiconductor Corporation - RS3K M6G

KEY Part #: K6457765

RS3K M6G Qiymətləndirmə (USD) [671462ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05509

Hissə nömrəsi:
RS3K M6G
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation RS3K M6G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RS3K M6G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RS3K M6G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3K M6G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : RS3K M6G
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 800V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.3V @ 3A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 500ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 800V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AB, SMC
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AB (SMC)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34JHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM