Hissə nömrəsi :
GC20MPS12-247
İstehsalçı :
GeneSiC Semiconductor
Təsvir :
SIC DIODE 1200V 20A TO-247-2
Diod növü :
Silicon Carbide Schottky
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
90A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.8V @ 20A
Sürət :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
0ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
18µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F :
1298pF @ 1V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-247-2
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C